[发明专利]一种光刻方法有效
| 申请号： | 201110316103.5 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103065946A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻方法，该方法在沉积的介质层上进行光刻形成光刻图案后，采用对光刻图案掺杂后再进行等离子体处理或超紫外线加工的方法，在光刻图案表面形成平滑层，从而在不降低光刻胶分辨率和敏感度的前提下，改善光刻图案的线宽粗糙现象，从而控制以具有所述平滑层的光刻图案为掩膜刻蚀所述介质层形成的半导体器件的特征尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，提供具有光刻图案的晶片，其特征在于，该方法包括：所述光刻图案进行离子掺杂；离子掺杂后的光刻图案进行等离子体处理或者紫外线加工，在所述光刻图案表面形成平滑层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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