[发明专利]接触曝光方法及装置无效
申请号: | 201110316470.5 | 申请日: | 2011-10-18 |
公开(公告)号: | CN102455603A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 太田尚树 | 申请(专利权)人: | 优志旺电机株式会社 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 夏斌;陈萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 接触曝光方法及装置,在接触曝光的掩膜与工件的对位中,防止产生即使多次重复对位也无法消除错位而校准无法收敛这种错误。使掩膜(M)与工件(W)接触,检测掩膜校准标记(MAM)与工件校准标记(WAM)的位置,求出第一校准量。接着,使掩膜(M)与工件(W)分离,根据第一校准量进行掩膜(M)与工件(W)的对位,使掩膜(M)与工件(W)接触,检测掩膜标记(MAM)与工件标记(WAM)的位置,求出第二校准量。在第一、第二校准量在预先设定的范围内一致的情况下,将第二校准量存储为图像位移量,再次使掩膜(M)与工件(W)分离,对第二校准量加上图像位移量而求出校准量,进行掩膜与工件的对位。 | ||
搜索关键词: | 接触 曝光 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种接触曝光方法,在掩膜与工件的对位后使掩膜与工件接触,经由掩膜对工件照射曝光光而进行曝光,其特征在于,具备:第一工序,使掩膜与工件接触,检测掩膜上所形成的掩膜校准标记和工件上所形成的工件校准标记的位置,求出校准量并存储;第二工序,使上述掩膜与上述工件分离,根据上述校准量使上述掩膜与上述工件相对地在平行方向上移动,进行上述掩膜与上述工件的对位;第三工序,再次使上述掩膜与上述工件接近并接触,检测上述掩膜校准标记与上述工件校准标记的位置,求出校准量并存储;以及第四工序,在上述第三工序中检测出的校准量与上述第一工序中存储的校准量在预先设定的范围内一致的情况下,将在上述第三工序中检测出的校准量存储为在接触时产生的错位量,在再次使上述掩膜与上述工件分离并进行上述掩膜与上述工件的对位时,对在上述第三工序中检测出的校准量加上上述在接触时产生的错位量,而使上述掩膜与上述工件相对地移动。
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