[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201110316512.5 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102456791A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 翁宇峰;M.布罗克利 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 氮化物半导体发光元件在基板上的矩形氮化物半导体区域内包含有：一个以上的n型半导体层、活性层、一个以上的p型半导体层，n型半导体层具有通过蚀刻形成的局部露出区域，在p型半导体层上形成的电流扩散层上形成有与p侧电极焊盘成一体的p侧支电极，在n型半导体层的局部露出区域上形成有与n侧电极焊盘成一体的n侧支电极，p侧和n侧支电极沿矩形氮化物半导体区域相对的两边相互平行地延伸，在把p侧与n侧电极焊盘的中心间距离以L表示，把p侧与n侧支电极之间的距离以M表示，在把p侧和n侧电极焊盘形成在矩形氮化物半导体区域的对角位置的情况下这些电极焊盘的中心间距离以Lmax表示时，满足0.3＜M/L＜1.1和L＜Lmax的条件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，在基板上表面上的矩形氮化物半导体区域内按顺序包含有：一个以上的n型半导体层、活性层、一个以上的p型半导体层，所述n型半导体层具有通过从所述p型半导体层侧进行蚀刻形成的局部露出区域，在所述p型半导体层上形成电流扩散层，在所述电流扩散层上形成有p侧电极焊盘和从它直线状延伸的p侧支电极，在所述n型半导体层的所述局部露出区域上形成有n侧电极焊盘和从它直线状延伸的n侧支电极，所述p侧支电极和所述n侧支电极沿所述矩形氮化物半导体区域相对的两边相互平行地延伸，在把所述p侧电极焊盘的中心与所述n侧电极焊盘的中心之间的距离以L表示，把相互平行的所述p侧支电极与所述n侧支电极之间的距离以M表示，把所述p侧电极焊盘和所述n侧电极焊盘形成在所述矩形氮化物半导体区域的对角位置的情况下这些电极焊盘的中心之间的距离以Lmax表示时，满足0.3＜M/L＜1.1和L＜Lmax的条件。
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