[发明专利]一种去除贵金属纳米线阵列背面金膜电极的机械抛光方法

摘要

本发明提供了一种去除贵金属纳米线阵列背面金膜电极的机械抛光方法，包括加工和固定抛光过程所用的支撑体，将粗抛光与精细抛光两道工艺有效结合，达到去除电极的目的，其中，粗抛光所用的材料是粒度为9-11μm的氧化铝抛光粉，而精细抛光所用的材料则是粒度为3.4-3.6μm的细的氧化铝抛光粉，将这两种粒度的抛光粉分别用去离子水配制30-60g/L的悬浮液，用脱脂棉球蘸取少量悬浮液进行抛光。本发明方法获得的贵金属纳米线阵列背面平整度好、无裂缝、均匀、光滑，为实现贵金属纳米线阵列窄的、强的SPR谱奠定材料和技术基础。

主权项

一种去除贵金属纳米线阵列背面金膜电极的机械抛光方法，其特征在于：包括加工和固定抛光过程所用的支撑体，将粗抛光与精细抛光两道工艺有效结合，达到去除电极，获得平整度好、无裂缝、均匀、光滑的阵列表面，具体步骤如下：(1)加工支撑体：加工直径为20±0.5mm、厚度为2±0.1mm的聚四氟乙烯圆片，另外制作一个直径为10±0.5mm，有一定弹性的硬质圆纸片；(2)固定支撑体：将聚四氟乙烯圆片固定在垫有玻璃的平整桌面上，然后将圆纸片放在聚四氟乙烯圆片上面，将贵金属纳米线阵列的正面贴在圆纸片上，将含有金膜电极的阵列背面朝上；(3)粗抛光磨料的配制：选用粒度为9‑11μm的α‑氧化铝抛光粉，加入去离子水配制成30‑60g/L的悬浮液A；(4)精细抛光磨料的配制：选用粒度为3.4‑3.6μm的α‑氧化铝抛光粉，加入去离子水配制成30‑60g/L的悬浮液B；(5)粗抛光工艺：用脱脂棉球蘸取少量的氧化铝悬浮液A，轻轻地对金膜电极进行抛光，10‑20分钟后，黄色的金膜电极基本去除，用盛有去离子水的注射器清洗抛光表面，此时黄颜色基本消失，被抛光的阵列背面为金红色；(6)精细抛光工艺：在粗抛光基础上，然后再用脱脂棉球蘸取少量的氧化铝悬浮液B，轻轻地对金膜电极进行抛光，20‑30分钟后，用盛有去离子水的注射器清洗抛光表面，然后用酒精棉球轻轻擦洗抛光表面以获得洁净的、光滑的表面，经过精细抛光后，金红色的阵列背面变为深红色，完成了最终的抛光，获得了光滑的阵列表面。