[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶的制造方法以及Cu-Ga合金溅射靶无效
| 申请号： | 201110317072.5 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102451910A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 横林贞之 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | B22F3/10 | 分类号： | B22F3/10;C23C14/34 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;洪燕 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明制造含有碱金属的Cu-Ga合金溅射靶。对至少混合了含镓和铜的Cu-Ga合金粉末以及含碱金属的有机物的混合粉末进行烧结，制造碱金属含量为0.01～5质量％的Cu-Ga合金溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种Cu‑Ga合金溅射靶的制造方法，是制造含有碱金属的Cu‑Ga合金溅射靶的方法，其特征在于，对至少混合了Cu‑Ga合金粉末和含碱金属的有机物的混合粉末进行烧结，以使所述Cu‑Ga合金溅射靶中的所述碱金属含量达到0.01～5质量％，其中，所述Cu‑Ga合金粉末含有镓和銅。
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