[发明专利]锗硅HBT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110317251.9 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102412283A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;胡君;段文婷;石晶;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅HBT器件，包括有锗硅基区外延层，所述锗硅基区外延层包括自上而下的覆盖层、锗硅层和缓冲层；所述覆盖层为n型掺杂的硅材料；所述锗硅层为锗硅材料，自上而下又分为三个部分，分别是第一n型掺杂部分、p型掺杂部分、第二n型掺杂部分；所述第一n型掺杂部分和p型掺杂部分之间的分界线作为EB结；所述p型掺杂部分和第二n型掺杂部分之间的分界线作为CB结；所述缓冲层为n型掺杂的硅材料。本发明还公开了制造所述锗硅HBT器件的方法。本发明能增加器件和工艺稳定性，改善面内的均匀性，减少原本为控制EB结位置的热过程(退火温度、时间)，可以精确控制锗硅HBT的EB结、CB结位置及两者的反向耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅 hbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅HBT器件，包括有锗硅基区外延层，所述锗硅基区外延层包括自上而下的覆盖层、锗硅层和缓冲层；其特征是：所述覆盖层为n型掺杂的硅材料；所述锗硅层为锗硅材料，自上而下又分为三个部分，分别是第一n型掺杂部分、p型掺杂部分、第二n型掺杂部分；所述第一n型掺杂部分和p型掺杂部分之间的分界线作为EB结；所述p型掺杂部分和第二n型掺杂部分之间的分界线作为CB结；所述缓冲层为n型掺杂的硅材料。
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