[发明专利]一种降低纳米二氧化钛光催化活性的方法有效
| 申请号： | 201110317818.2 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103046011A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 孙锡泉;张浴晖;王俊发;刘其达;张元洪;梁玉超 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;B01J21/06;B01J33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266071 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低纳米二氧化钛光催化活性的方法，包括对金属靶材进行清洁处理、在纳米二氧化钛粉末上沉积金属阻隔膜等步骤，采用磁控溅射的方法，将待处理的纳米二氧化钛粉体置于溅射仪基底上，控制磁控溅射室内工作气体压力及单位面积功率、溅射时间等条件对靶材进行溅射，在纳米二氧化钛表面上沉积靶材金属膜，得到光催化活性降低的纳米二氧化钛粉末，从而完成改性。本发明所述的方法具有操作条件相对简单，无污染，成本低，不需要对设备进行复杂的前期预溅射的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 纳米 氧化 光催化 活性 方法 | ||
【主权项】：
一种降低纳米二氧化钛光催化活性的方法，其特征在于所述的方法包括下列步骤：将纳米二氧化钛粉末放置在磁控溅射仪基底上，基底材料为阳极，溅射靶为阴极，使靶材与纳米二氧化钛粉末间保持适当距离，调节溅射室内的压力、射频电源的功率，使靶面单位面积功率保持稳定，使工作气体起辉，磁控溅射一定时间，得到低光催化活性的纳米二氧化钛粉末。
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