[发明专利]一种全息闪耀光栅制作方法无效
| 申请号： | 201110318454.X | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102360093A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘全;吴建宏;陈明辉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种全息闪耀光栅的制作方法，通过先在基片上制作同质光栅，以该同质光栅为掩模，进行斜向离子束刻蚀得到所需的闪耀光栅。由于在制作同质光栅时，可以控制正向离子束刻蚀的时间，使同质光栅的槽深得到精确控制，另外在干涉光刻得到光刻胶光栅之后，可以进一步增加灰化工艺，控制光刻胶光栅的占宽比，从而控制所需的同质光栅的占宽比，因此本发明的制作方法实现了制作闪耀光栅的多参数控制，提高了制作精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全息 闪耀 光栅 制作方法 | ||
【主权项】：
一种全息闪耀光栅制作方法，其特征在于：所述制作方法包括下列步骤：1)在基片上涂布光刻胶；2)对所述光刻胶层进行光刻，形成光刻胶光栅；3)以所述光刻胶光栅为掩模，对基片进行正向离子束刻蚀，将光刻胶光栅图形转移到基片上，形成同质光栅；4)清洗基片，去除剩余光刻胶；5)以同质光栅为掩模，对基片进行斜向Ar离子束扫描刻蚀，利用同质光栅掩模对离子束的遮挡效果，使基片材料的不同位置先后被刻蚀，形成三角形的闪耀光栅槽形；6)清洗基片，得到全息闪耀光栅。
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