[发明专利]一种溶液相合成硒化锡单晶纳米线的方法

摘要

本发明涉及一种溶液相合成硒化锡单晶纳米线的方法，属无机化合物半导体纳米材料技术领域。以双[双(三甲基硅烷基)氨基]锡(II)和硒化有机膦为原料，在油胺或油胺与三辛基氧化磷的混合溶剂中，通过催化剂辅助在250-310摄氏度下1-2分钟迅速合成硒化锡单晶纳米线。本发明所合成的硒化锡单晶纳米线具有直径小(平均直径为21纳米)，平均长度从几百纳米到数十微米可调，形貌较均匀，结晶性好，胶态分散性好等优点。同时，本发明工艺简单，合成迅速(仅1-2分钟)，无任何中间产物，操作方便，易于推广，适合于工业生产。利用本发明方法制备出的硒化锡纳米线具有良好的光电性能，可用于制造光电器件或太阳能电池材料。

主权项

一种溶液相合成硒化锡单晶纳米线的方法，其特征是：工艺步骤是：a.将Se和配位溶剂混合，搅拌使Se溶解，得到Se前体溶液；配位溶剂是三辛基膦或三丁基膦；b.将催化剂与双[双(三甲基硅烷基)氨基]锡(II)混合得到Sn注射溶液；c.将a工序的Se前体溶液与反应溶剂混合，在惰性气体保护下加热到250℃到310℃之间；反应溶剂是指油胺或油胺与三辛基氧化磷(Trioctylphosphine Oxide，TOPO)的混合物，混合物中二者质量比为1∶0.5到1∶4；d.将b工序的Sn注射溶液加入到c工序的反应溶液中，反应1‑2分钟，得到硒化锡单晶纳米线。