[发明专利]基于氮化物的半导体器件无效
| 申请号： | 201110319101.1 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102544117A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 朴永焕;朴基烈;全祐徹 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种基于氮化物的半导体器件，包括：基底；设置在基底上的半导体层；以及设置在半导体层上的电极结构，其中，电极结构包括：与半导体层欧姆接触的第一欧姆电极；与半导体层欧姆接触并且与第一欧姆电极分隔开的第二欧姆电极；以及与半导体层肖特基接触并且覆盖第二欧姆电极的肖特基电极单元。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种基于氮化物的半导体器件，包括：基底；半导体层，设置在所述基底上；以及电极结构，设置在所述半导体层上，其中，所述电极结构包括：第一欧姆电极，与所述半导体层欧姆接触；第二欧姆电极，与所述半导体层欧姆接触，并且与所述第一欧姆电极分隔开；以及肖特基电极单元，与所述半导体层肖特基接触，并且覆盖所述第二欧姆电极。
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