[发明专利]晶圆承载设备及晶圆承载的方法有效
申请号: | 201110319207.1 | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN103065997A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 徐依协 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种晶圆承载设备及晶圆承载的方法,其中晶圆承载设备包括:静电卡盘,所述静电卡盘具有若干区域;能量供给单元,所述能量供给单元独立控制所述静电卡盘若干区域施加能量;控制单元,所述控制单元用于控制所述能量供给单元,使得所述能量供给单元向对应的区域施加能量或停止施加能量,且所述控制单元独立地控制每一所述能量供给单元施加或停止施加能量。本发明的晶圆承载设备及晶圆承载的方法能够改善承载晶圆的表面平坦度和降低卡紧或放松放松晶圆时颗粒污染的风险。 | ||
搜索关键词: | 承载 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆承载设备,包括:静电卡盘,所述静电卡盘具有若干区域;其特征在于,还包括:能量供给单元,所述能量供给单元独立对所述静电卡盘若干区域施加能量;控制单元,所述控制单元用于控制所述能量供给单元,使得所述能量供给单元向对应的区域施加能量或停止施加能量,且所述控制单元独立地控制每一所述能量供给单元施加或停止施加能量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110319207.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造