[发明专利]氮化物类半导体激光元件和光学装置无效
| 申请号： | 201110319247.6 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102457017A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 村山佳树 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件和光学装置。该氮化物类半导体激光元件具备由具有出射侧谐振器面和反射侧谐振器面的氮化物类半导体构成的半导体元件层以及形成于出射侧谐振器面的端面涂膜。端面涂膜具有与出射侧谐振器面接触形成的由氮化铝构成的第1电介质膜、形成于第1电介质膜的出射侧谐振器面相反侧的由氧氮化铝构成的第2电介质膜、形成于第2电介质膜的第1电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第3电介质膜、形成于第3电介质膜的第2电介质膜相反侧的由氧氮化铝构成的第4电介质膜和形成于第4电介质膜的第3电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第5电介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 激光 元件 光学 装置 | ||
【主权项】：
一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，具备：包含发光层的、由具有出射侧谐振器面和反射侧谐振器面的氮化物类半导体构成的半导体元件层，和形成于所述出射侧谐振器面的端面涂膜，所述端面涂膜具有与所述出射侧谐振器面接触形成的由氮化铝构成的第1电介质膜、形成于所述第1电介质膜的所述出射侧谐振器面相反侧的由氧氮化铝构成的第2电介质膜、形成于所述第2电介质膜的所述第1电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第3电介质膜、形成于所述第3电介质膜的所述第2电介质膜相反侧的由氧氮化铝构成的第4电介质膜和形成于所述第4电介质膜的所述第3电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第5电介质膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110319247.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发动机控制装置
- 下一篇：具有由划片槽限定的薄片的半导体结构
