[发明专利]对准标记保护层的制作方法有效
| 申请号： | 201110319258.4 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103065929A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王刚宁;唐凌;李远哲;朱立平;梁国亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F9/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种对准标记保护层的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有零层标记；形成覆盖所述零层标记的氧化硅层；形成覆盖所述氧化硅层和半导体衬底表面的至少一层外延硅层，零层标记区域的外延硅层的厚度小于其他区域的外延硅层厚度；对外延硅层进行氧化处理，使零层标记区域的外延硅层完全氧化。本发明提供的对准标记保护层的制作方法，提高光刻的对准精度和对准能力。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 标记 保护层 制作方法 | ||
【主权项】：
一种对准标记保护层的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有零层标记；形成覆盖所述零层标记的氧化硅层；形成覆盖所述氧化硅层和半导体衬底表面的至少一层外延硅层，零层标记区域的外延硅层的厚度小于零层标记区域以外的外延硅层厚度；对外延硅层进行氧化处理，使零层标记区域的外延硅层完全氧化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
