[发明专利]具有点状分布N电极的氮化镓基发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110319304.0 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102332521A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 贾海强;陈弘;王文新;李卫;江洋;王禄 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有点状分布N电极结构的氮化镓基倒装工艺发光二极管及其制备方法。该具有点状分布N电极结构的氮化镓基倒装工艺发光二极管包括一氮化镓基芯片以及与所述氮化镓基芯片采用倒装焊方法键合的倒装焊用基板。该制备方法通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过器件制作工艺，包括光刻、淀积、刻蚀、蒸发、溅射、剥离主要工艺步骤，实现倒装焊芯片的P型反射层电极和N电极，本方案通过采用多个点状N电极分布，并利用倒装焊基板进行N电极连接，增加P型区面积同时，减小了工艺复杂度，提高了可靠性，大幅提高了倒装焊LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 有点 分布 电极 氮化 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有点状分布N电极结构的氮化镓基发光二极管，包括：一氮化镓基芯片；分布在所述氮化镓基芯片上的至少一片状P电极区和至少两个N电极；其特征在于，所述至少两个N电极为呈点状分布于片状P电极区之间的N电极；一倒装焊用基板；所述倒装焊用基板上制备的与分布在所述氮化镓基芯片上的N电极对应的N压焊电极之间使用常规的金属结构薄膜连接；所述氮化镓基芯片与所述倒装焊用基板采用倒装焊方法键合。
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