[发明专利]发光二极管激光剥离方法无效
申请号: | 201110319324.8 | 申请日: | 2011-10-18 |
公开(公告)号: | CN103066166A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 陈复邦;曾瑞贤;张智松 | 申请(专利权)人: | 联胜光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;B23K26/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥 |
地址: | 中国台湾台中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种发光二极管激光剥离方法,其为于一转换基板上外延形成一外延层之前,对应该外延层的隔离区域,先于该转换基板上形成一高低落差结构,据此于具有该高低落差结构的该转换基板之上,外延形成该外延层,即可藉由该高低落差结构释放材料接口间的应力,因而在激光剥离该转换基板与该外延层时,即可有效降低破片机率,而提升工艺合格率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 激光 剥离 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管激光剥离方法,应用于一转换基板与一外延层的激光剥离,且该外延层定义有一隔离区域以隔出多个晶粒,其特征在于:在于该转换基板上外延形成该外延层之前,对应该外延层的隔离区域,先于该转换基板上形成一高低落差结构,再让该转换基板上外延形成该外延层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联胜光电股份有限公司,未经联胜光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110319324.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种低电容大浪涌保护电路
- 下一篇:智能功率模块