[发明专利]自行对准本体完全隔绝器件有效
| 申请号： | 201110319709.4 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102456605A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | P·R·维尔马 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明提供一种器件，其在栅极的第一侧上具有自行对准本体。该自行对准本体有助于达到低漏极-源极导通电阻(Rdson)所需的非常短的沟道长度。该自行对准本体经隔绝，能够将该本体偏压在不同的偏压电位。该器件可经组构成为具有多个晶体管的指状架构，具有共同耦接在一起的源极、共同耦接在一起的栅极以及共同耦接在一起的漏极，以达到高驱动电流输出。 | ||
| 搜索关键词： | 自行 对准 本体 完全 隔绝 器件 | ||
【主权项】：
一种器件的形成方法，包括：设置定义有器件区域的衬底，其中，该器件区域包含具有第一极性类型掺杂物的漂移井；在该器件区域中形成晶体管的栅极，该栅极具有第一侧及第二侧；在该栅极的第一侧将第二极性类型掺杂物布植进入该衬底，以在该漂移井内形成本体，其中，该布植是自行对准该栅极，该本体在该栅极的该第一侧上具有长度L的下露部份，其中，该长度L很小，以达到低漏极‑源极导通电阻；以及在该栅极的该第一侧及第二侧附近的该器件区域中，在该衬底中形成第一扩散区域及第二扩散区域，其中，该第一扩散区域位于该本体内，且该第二扩散区域位于该漂移井内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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