[发明专利]陶瓷共烧四边引线扁平外壳制作工艺有效
申请号: | 201110319863.1 | 申请日: | 2011-10-20 |
公开(公告)号: | CN102332407A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 张崤君;郭志伟 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 米文智 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种陶瓷共烧四边引线扁平外壳制作工艺,其方法步骤如下:瓷件外壳主体制作;平引线加工;通过焊料将平引线和瓷件焊接在一起;在平引线和瓷件上镀一层金;在平引线表面涂覆保护材料;将平引线四边的连接部分裁去;对引线进行一次打弯成型;产品经检验合格后交付用户。本发明的有益效果是:通过将传统陶瓷共烧四边引线扁平外壳制作工艺中的由用户进行引线裁切和引线打弯的步骤提前到外壳制作阶段,即在外壳生产过程中进行引线的打弯成型,解决了传统工艺用户操作复杂、成品率低、在引线打弯成型过程中容易造成报废的缺点,提高了用户使用的方便性。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 四边 引线 扁平 外壳 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种陶瓷共烧四边引线扁平外壳制作工艺,其特征在于其方法步骤如下:(1)瓷件外壳主体制作:通过流延、冲孔、印刷、层压、热切和烧结工艺步骤制作瓷件外壳主体;(2)平引线加工:通过刻蚀工艺加工平引线框架;(3)钎焊:通过焊料将平引线和瓷件外壳主体焊接在一起;(4)镀金:在平引线和瓷件外壳主体上镀一层金;(5)引线保护:在平引线表面涂覆保护材料;(6)引线裁切:将平引线四边的连接部分裁去;(7)引线打弯:采用专用模具,对裁切之后的平引线进行一次打弯成型;(8)根据用户需求进行芯片粘接、键合、封口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造