[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110320509.0 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN103066011A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;黄怡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，并且在所述栅极结构的顶部以及所述半导体衬底的源/漏区分别形成有自对准硅化物；在所述半导体衬底上形成一接触孔蚀刻停止层，以至少覆盖所述栅极结构；蚀刻所述接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；对所述接触孔进行蚀刻后处理，采用CO/N2进行所述蚀刻后处理；对所述接触孔进行湿法清洗，并填充金属塞于所述接触孔中。根据本发明，可以将接触孔的突出现象减小到最低程度，从而不影响接触孔与多晶硅栅极之间的间距的特征尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，并且在所述栅极结构的顶部以及所述半导体衬底的源/漏区分别形成有自对准硅化物；在所述半导体衬底上形成一接触孔蚀刻停止层，以至少覆盖所述栅极结构；蚀刻所述接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；对所述接触孔进行蚀刻后处理，采用CO/N2进行所述蚀刻后处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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