[发明专利]整流二极管制造方法无效
| 申请号： | 201110322164.2 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102361009A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李治刿;张剑;俞建;李驰明 | 申请（专利权）人： | 四川太晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市开发*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种整流二极管制造方法，改进现有技术的生产工艺，提高器件性能。本发明的整流二极管制造方法在管芯制作的扩散工序中，在进行P区杂质扩散时采用二次扩散工艺，在N-型单晶硅片上形成四层结构，即N+层、N-层、P-层和P+层，得到四层结构的管芯，提高了P区载流子有效浓度，并且改善了表面欧姆接触层的合金质量，降低了接触电阻，有效载流面积有所提高。本发明调整了工序流程，在焊接引线之前进行管芯腐蚀，有利于得到合适的晶粒形状，在焊接引线前先形成PN结台面，减少化学药剂使用量，大大的降低了二极管行业的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 整流二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
整流二极管制造方法，包括如下步骤：a、在N‑型单晶硅片一面扩散5价元素，形成N+层；b、在所述单晶硅片另一面扩散3价元素，经过2次扩散分别形成P‑层和P+层；c、在所述N+层和P+层表面形成欧姆接触层；d、对上述加工完成的硅片进行切割，得到管芯；e、对所述管芯进行腐蚀，消除切割伤痕并形成管芯形状；f、对管芯进行清洗后，在N+层和P+层表面形成的欧姆接触层上焊接引线；g、涂覆保护层；h、塑封成型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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