[发明专利]一种无外延层的RF-LDMOS器件结构无效
| 申请号： | 201110322286.1 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102361035A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 余庭;曾大杰;张耀辉;赵一兵 | 申请（专利权）人： | 昆山华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无外延层的RF-LDMOS器件结构，包含源极、漏极，源极和漏极通过沟道连在一起，沟道的上面设有栅，栅与沟道间隔着一层氧化层，氧化层和栅由绝缘层覆盖，绝缘层外还设有场板，源极和漏极分别与源金属引线和漏金属引线连接，还包含一采用低掺杂的高阻半导体材料的衬底。本发明的RF-LDMOS器件不需要使用外延层，减少了外延层这道工艺，降低了器件的成本。衬底不再是作为导电通路，因此可以使用低掺杂、高阻材料的衬底，能够减小漏极和衬底的反偏PN结的结电容，降低了金属连线到衬底的寄生电容，降低因金属连线中交变电流所引起的衬底的涡旋电流而造成的损耗，提高器件的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 rf ldmos 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种无外延层的RF‑LDMOS器件结构，包含源极、漏极，源极和漏极通过沟道连在一起，沟道的上面设有栅，栅与沟道间隔着一层氧化层，氧化层和栅由绝缘层覆盖，绝缘层外还设有场板，源极和漏极分别与源金属引线和漏金属引线连接，其特征在于，还包含一采用低掺杂的高阻半导体材料的衬底。
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