[发明专利]一种具有双层电介质电荷捕获层的DC-SONOS存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体电荷捕捉存储器领域，公开了一种具有双层电介质电荷捕获层的DC-SONOS非易失性存储器，包括具有沟道表面的沟道的半导体衬底，与沟道邻近的源端和漏端；栅极；介于栅极和沟道表面之间的介电叠层；以及位于栅极及介电叠层两侧的边墙。介电叠层包括：与沟道表面接触的隧穿层；叠加于隧穿层上方的电荷捕获层；电荷捕获层为双层电介质的复合结构；叠加于电荷捕获层上方的阻挡层，与栅极接触。其中，电荷捕获层包括：与隧穿层接触的第一层电介质，其成分为Si3N4，厚度为1-30Å；邻近第一层的第二层电介质，其成分为SiN，厚度为1-50Å。本发明具有双层电介质电荷捕获层的DC-SONOS存储器改善了传统SONOS非易失性存储器的性能，提高存储器的数据保持特性，有利于获得在工作条件较恶劣下仍保持较高数据保持特性的存储器。

主权项

一种具有双层电介质电荷捕获层的DC‑SONOS存储器，其特征在于，包括：半导体衬底，包括具有沟道表面的沟道，以及与所述沟道邻近的源端和漏端；栅极；介于所述栅极和所述沟道表面之间的介电叠层；以及位于所述栅极及介电叠层两侧的边墙；其中，所述介电叠层包括：隧穿层，与所述沟道表面接触；叠加于所述隧穿层上方的电荷捕获层；所述电荷捕获层为双层电介质的复合结构；叠加于所述电荷捕获层上方的阻挡层，与所述栅极接触。