[发明专利]一种压力传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110322967.8 申请日: 2011-10-21
公开(公告)号: CN102798489A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 蔡坚;王涛;王谦 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18;B81B3/00;B81C1/00
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 南毅宁;王凤桐
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明针对现有技术中的压力传感器结构在尺寸和封装技术方面的缺陷,提供一种能够降低尺寸并便于封装的压力传感器及其制备方法。一种压力传感器,该压力传感器包括衬底(100)、压敏元件(200)及其引出电极和硅通孔(50),其中,所述压敏元件(200)及其引出电极位于所述衬底(100)的一侧,所述硅通孔(50)贯穿所述衬底(100)并且所述硅通孔(50)的一端与所述压敏元件(200)的引出电极互连,所述硅通孔(50)的另一端作为所述压力传感器的输出端,所述压力传感器还包括位于所述压敏元件(200)下方的密封空腔(40),并且所述压敏元件(200)与所述密封空腔(40)之间形成压敏薄膜。
搜索关键词: 一种 压力传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种压力传感器,该压力传感器包括衬底(100)、压敏元件(200)及其引出电极和硅通孔(50),其中,所述压敏元件(200)及其引出电极位于所述衬底(100)的一侧,所述硅通孔(50)贯穿所述衬底(100)并且所述硅通孔(50)的一端与所述压敏元件(200)的引出电极互连,所述硅通孔(50)的另一端作为所述压力传感器的输出端,所述压力传感器还包括位于所述压敏元件(200)下方的密封空腔(40),并且所述压敏元件(200)与所述密封空腔(40)之间形成压敏薄膜。
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