[发明专利]一种降低潮气等级的半导体封装工艺无效
| 申请号： | 201110325231.6 | 申请日： | 2011-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103065986A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 无锡世一电力机械设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人： | 杨晓东 |
| 地址： | 214192 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低潮气等级的半导体封装工艺，芯片切割，芯片键合，导线键合，其特征在于：对引线框架，连接导线，芯片需要处理的部分进行等离子清洗处理，然后对引线框架，连接导线，芯片需要加强的表面均匀施用复合助粘剂混合溶液，其中含有两种活性成分，分别是三异硬脂酸基钛酸异丙酯与乙烯基三甲氧基硅烷或者3-氨丙基硅三醇；常温风干或者烘干，活性成分涂层厚度控制在10-90nm厚度，然后进行后道封装工序。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 潮气 等级 半导体 封装 工艺 | ||
【主权项】：
一种降低潮气等级的半导体封装工艺，芯片切割，芯片键合，导线键合，其特征在于：对引线框架，连接导线，芯片需要处理的部分进行等离子清洗处理，然后对引线框架，连接导线，芯片需要加强的表面均匀施用复合助粘剂混合溶液，其中含有两种活性成分，分别是三异硬脂酸基钛酸异丙酯与乙烯基三甲氧基硅烷或者3‑氨丙基硅三醇；常温风干或者烘干，活性成分涂层厚度控制在10‑90nm厚度，然后进行后道封装工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
