[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201110325261.7 | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102655153A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 周瀚洙;李东基;吴尚炫 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法。所述方法包括以下步骤：在衬底之上形成沟道连接层和包围沟道连接层的隔离层；在沟道连接层和隔离层之上形成具有与栅电极层交替层叠的层间电介质层的层叠结构；以及形成贯穿层叠结构与沟道连接层连接的一对沟道以及插入在沟道与层叠结构之间的存储层。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成沟道连接层和包围所述沟道连接层的隔离层；在所述沟道连接层和所述隔离层之上形成具有与栅电极层交替层叠的层间电介质层的层叠结构；以及形成贯穿所述层叠结构与所述沟道连接层连接的一对沟道，以及插入在所述沟道与所述层叠结构之间的存储层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
