[发明专利]用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料及制备方法有效
| 申请号： | 201110325521.0 | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102403459A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;鞠晨;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C22C12/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基材料及其制备方法，本发明硅掺杂的铋碲基材料的化学通式为BixTeySi100-(x+y)，其中x、y满足：0＜x≤40，0＜y≤60，90≤x+y＜100。所发明的硅掺杂的铋碲基材料，在施加电脉冲信号的情况下，发生了高阻态与低阻态之间的可逆转换特性，可以用于相变存储器。与传统的用于相变存储器的GeTe、SiSbTe、GeSbTe等相变薄膜材料相比，本发明硅掺杂的铋碲基材料组分简单、相变速度更快、相变所需能量更低，且与互补金属氧化物半导体(CMOS)器件制造工艺兼容性非常好，是一种优异的相变存储器的新存储材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 掺杂 铋碲基 存储 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变随机存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料，其组分表达式为BixTeySi100‑(x+y)，其中0＜x≤40，0＜y≤60，90≤x+y＜100。
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