[发明专利]与锗硅异质结NPN 三极管集成的PNP三极管有效
| 申请号： | 201110326307.7 | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103066114A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊;王永成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管。本发明通过在有源区的侧面上形成有基区引出区来引出基区，能避免在有源区的顶部形成多晶硅来引出基区，从而能不需要改变锗硅异质结NPN三极管的制作工艺就能实现PNP三极管和锗硅异质结NPN三极管的集成，能避免对锗硅异质结NPN三极管的制作产生影响，能保证不增加锗硅异质结NPN三极管的制作成本和不降低锗硅异质结NPN三极管的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅异质结 npn 三极管 集成 pnp | ||
【主权项】：
一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管，形成于P型衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，PNP三极管包括：集电区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述集电区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度；所述集电区横向延伸到所述有源区周侧的所述浅槽场氧的底部一段距离，在所述集电区横向延伸部分中形成有重掺杂的P型埋层，在所述P型埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有第一深孔接触，该第一深孔接触和所述P型埋层接触并引出集电极；基区，由形成于所述集电区顶部的所述有源区中并和所述集电区相接触的一N型离子注入区组成；在所述有源区的侧面上形成有基区引出区，所述基区引出区为N型掺杂，所述基区引出区顶部和所述基区接触、所述基区引出区底部和一N型埋层接触，所述N型埋层形成于所述有源区周侧的所述浅槽场氧的底部、且和所述有源区周侧的底部边缘相接触；在所述N型埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有第二深孔接触，该第二深孔接触和所述N型埋层接触并引出基极；发射区，由形成于所述基区顶部的锗硅单晶组成，所述发射区和所述基区相接触，在所述发射区上形成有金属接触引出发射极。
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