[发明专利]锗硅异质结双极晶体管及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，在有源区周侧的浅槽场氧底部形成有一槽，在槽中填充有多晶硅，由填充于槽中的多晶硅形成多晶硅赝埋层，在多晶硅赝埋层中掺入有N型杂质，N型杂质还扩散至多晶硅赝埋层周侧的硅衬底中形成第一N型掺杂区，由多晶硅赝埋层和第一N型掺杂区组成集电极连接层，集电极连接层和集电区在浅槽场氧的底部相接触；由在多晶硅赝埋层顶部的浅槽场氧中形成有深孔接触并引出集电极。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明能提高集电极连接层的厚度、使其杂质分布均匀，能降低集电极连接层电阻和接触电阻且使阻值均匀，从而能提高SiGe HBT的截止频率。

主权项

一种锗硅异质结双极晶体管，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于：所述锗硅异质结双极晶体管的集电区由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述集电区横向延伸进入所述有源区两侧的浅槽场氧底部；在所述有源区周侧的所述浅槽场氧底部形成有一槽，在所述槽中填充有多晶硅，由填充于所述槽中的所述多晶硅形成多晶硅赝埋层，在所述多晶硅赝埋层中掺入有N型杂质，所述N型杂质还扩散至所述多晶硅赝埋层周侧的所述硅衬底中形成第一N型掺杂区，由所述多晶硅赝埋层和所述第一N型掺杂区组成集电极连接层，所述集电极连接层和所述集电区在所述浅槽场氧的底部相接触；由在所述多晶硅赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触，所述深孔接触和所述多晶硅赝埋层接触并引出集电极。