[发明专利]具有金属源漏的半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110326460.X | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102361036A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王巍;王敬;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有金属源漏的半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底之中的第一槽结构和第二槽结构；填充在所述第一槽结构和第二槽结构之中的绝缘材料层；形成在所述衬底之上且位于所述第一槽结构和第二槽结构之间的栅堆叠，和形成在所述栅堆叠两侧的一层或多层侧墙；分别形成在所述绝缘材料层之上的金属源极和金属漏极；以及位于所述金属源极和所述沟道区之间的第一超薄绝缘层，和位于所述金属漏极和所述沟道区之间的第二超薄绝缘层。本发明通过形成在金属源漏区域和衬底之间的绝缘材料层，抑制了金属源漏区域向衬底漏电较大的问题，同时向沟道区引入不同的应力，使沟道区域产生有效应变，改善载流子迁移率，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有金属源漏的半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之中的第一槽结构和第二槽结构；填充在所述第一槽结构和第二槽结构之中的绝缘材料层；形成在所述衬底之上且位于所述第一槽结构和第二槽结构之间的栅堆叠，和形成在所述栅堆叠两侧的一层或多层侧墙；分别形成在所述第一槽结构和第二槽结构的所述绝缘材料层之上的金属源极和金属漏极，其中，所述金属源极和金属漏极之间为沟道区；以及位于所述金属源极和所述沟道区之间的第一超薄绝缘层，和位于所述金属漏极和所述沟道区之间的第二超薄绝缘层。
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