[发明专利]单一芯片桥式磁场传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201110326762.7 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102331564A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 雷啸锋;薛松生;金英西;詹姆斯·G·迪克;沈卫锋;王建国;刘明峰 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李艳 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单一芯片桥式磁场传感器及其制备方法，所述设计中GMR或MTJ磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向采用形状各向异性进行偏置，磁电阻元件具有使自由层磁矩方向指向其磁性易轴方向的形状，特别地形状可以是椭圆，长方形，菱形；优选地采用集成于芯片上的片状永磁体对推挽全桥电阻的自由层磁矩进行辅助偏置。采用该设计可以在同一芯片上，一次直接生产出推挽桥式传感器。所公开的单一芯片桥式磁场传感器相对传统的设计具有，输出稳定，性能更好，工艺简单，成本更低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 单一 芯片 磁场 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单一芯片全桥磁场传感器，包括四个磁电阻元件，其中每个磁电阻元件包括一个或多个GMR或MTJ传感元件，其特征在于：传感元件由自旋阀构成，所述磁电阻元件具有一磁性自由层和磁性钉扎层；所述四个磁电阻元件的磁性钉扎层的方向设置在相同的一个方向上；位于相对位置的两个磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向相同，每个磁电阻的磁性自由层的磁矩方向与其磁性钉扎层的磁矩方向所成的夹角相同，位于相邻位置的两个磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向与其磁性钉扎层的磁矩方向所成的夹角的角度相同或互补，且位于相邻位置的两个磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向不相同。
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