[发明专利]非易失性存储器架构有效
| 申请号： | 201110327168.X | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102456402A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | C.德雷;K.霍夫曼;A.奈伊 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性存储器架构。存储器设备的代表性实施方式在存储器设备的存储器单元之间具有晶体管。存储器设备可以布置成存储器阵列。使用晶体管可以包括在存储器阵列中的成对或者成组存储器单元之间交替地提供电隔离或者电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 架构 | ||
【主权项】：
一种电子设备，包括：第一存储器单元，包括第一开关；第二存储器单元，包括第二开关；导体，耦合到所述第一开关和到所述第二开关并且配置成切换所述第一开关和所述第二开关；以及晶体管，在所述晶体管的源极或者漏极之一处耦合到所述第一存储器单元而在所述晶体管的源极或者漏极中的另一个处耦合到所述第二存储器单元，所述晶体管的栅极耦合到所述导体。
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