[发明专利]改善贮存时间Ts一致性的功率晶体管制造方法

摘要

本发明专利申请提供的改善贮存时间Ts一致性的功率晶体管制造方法，其方法中的高温退火在退火时间内经两步骤完成：先在纯氮气的氛围升温至退火温度，在该退火温度保持30分钟-50分钟，其后掺入氧气，在氮气与氧气混合氛围中在剩余退火时间中退火推结，形成基区结构。本技术方案中，退火前期采用纯氮气退火升温预处理过程，避免氧原子的引入，大幅降低半导体表面缺陷的产生，改善了表面复合，半导体表面均匀性得到大幅度改善，因此获得了均匀一致性分布的贮存时间Ts。

主权项

一种改善贮存时间Ts一致性的功率晶体管制造方法，其方法是：硅三重扩散片表面生长形成氧化层，在氧化层光刻基区窗口，由基区窗口硼离子注入，随后高温退火，对注入后产生的缺陷进行修复和并推结形成基区，再由退火生长产生的氧化层为屏蔽进行发射区窗口光刻并磷扩散，最终成为垂直型NPN型结构晶体管，其特征在于其中高温退火是在退火时间内经两步骤完成：首先在纯氮气氛围升温至退火温度，在该退火温度保持30分钟‑50分钟，其后掺入氧气，在氮气与氧气混合氛围中完成剩余退火时间的退火推结，形成基区。