[发明专利]一种改善浅沟槽隔离制程中残留物缺陷的方法有效
| 申请号： | 201110328063.6 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102332424A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 徐友峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种改善浅沟槽隔离制程中残留物缺陷的方法，包括下列步骤：在半导体基底上形成浅沟槽；蚀刻一定量的氮化硅和二氧化硅层；在蚀刻过程中对所述浅沟槽结构进行超声波清洗；使用去离子水清洗所述浅沟槽结构；对所述浅沟槽结构进行干燥处理。本发明提出的改善浅沟槽隔离制程中残留物缺陷的方法，能够减少制程中残留物缺陷的形成，提升良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 沟槽 隔离 制程中 残留物 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种改善浅沟槽隔离制程中残留物缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体基底上形成浅沟槽；蚀刻一定量的氮化硅和二氧化硅层；在蚀刻过程中对所述浅沟槽结构进行超声波清洗；使用去离子水清洗所述浅沟槽结构；对所述浅沟槽结构进行干燥处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
