[发明专利]获取光阻厚度变化和监控光阻厚度对图形尺寸影响的方法有效
| 申请号： | 201110328167.7 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102508413A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 王剑 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种获取光阻厚度变化的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成一定厚度的光阻层，所述光阻层的厚度为摇摆曲线中相邻波峰和波谷中间点对应的光阻厚度；对所述一定厚度的光阻层进行曝光，显影，形成光阻开口；量测所述光阻开口的图形尺寸；根据光阻开口的图形尺寸以及摇摆曲线，获取光阻厚度的变化值。通过选定摇摆曲线中相邻波峰和波谷中间点对应的光阻厚度为光阻厚度的监控点，不仅可以获取光阻厚度的变化，还可以监控光阻厚度对图形尺寸的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 获取 厚度 变化 监控 图形 尺寸 影响 方法 | ||
【主权项】：
一种获取光阻厚度变化的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成一定厚度的光阻层，所述光阻层的厚度为摇摆曲线中相邻波峰和波谷中间点对应的光阻厚度；对所述一定厚度的光阻层进行曝光，显影，形成光阻开口；量测所述光阻开口的图形尺寸；根据光阻开口的图形尺寸以及摇摆曲线，获取光阻厚度的变化值。
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