[发明专利]一种发光二极管的研磨下蜡方法

摘要

本发明提供了一种发光二极管的研磨下蜡方法，采用增加缓冲层、在液体中下蜡的方式，有效降低裂片率、提高良率，降低成本。减薄前，将载片盘表面用高温膜或镜头纸保护，起到外延片与载片盘间的缓冲作用；将减薄后的外延片连同载片盘放入水溶性去蜡液中进行下蜡。通过该方法进行减薄及下蜡，能够减少减薄过程及下蜡过程中的裂片率，增加发光二极管的良率；可以提高下蜡过程的速度，有效减少工作时间、提高了生产效率；有效降低了成本，并提高外延片厚度的均匀性。

主权项

一种发光二极管的研磨下蜡方法，包括如下步骤：（1）将厚度均匀的缓冲层粘附在载片盘的载片位置；（2）将载片盘加热至80‑120℃，设定上蜡机的温度为80‑120℃，将蜡熔于缓冲层上，将外延片正面粘于熔化的蜡上；（3）将载片盘置于冷却台上，调整压力为0.2‑0.3MPa，进行冷却；（4）用丙酮、异丙酮将外延片边缘多余的蜡清除；（5）用减薄机将外延片进行减薄；（6）将减薄后的外延片连同载片盘浸入水溶性去蜡液中，将外延片从缓冲层上取下；去蜡液的浓度为10%，温度80‑100℃，时间5‑8分钟；（7）将取下的外延片放于花篮中，将花篮依次浸入三个装有水溶性去蜡液的容器中，每次时间5‑8分钟，去蜡液浓度为10%，温度为80‑100℃；（8）将花篮置于清洗槽中，清洗后吹干。