[发明专利]电子束控制方法、电子束生成设备、使用该方法的设备，以及发射器

摘要

电子束控制方法、电子束生成设备、使用该方法的设备，以及发射器。本发明提供一种具有在电子束发射侧曲率半径为2.0μm的锥端的肖特基发射器。因为曲率半径大于等于1μm，电子枪的焦距可以比在曲率半径在0.5μm到不超过0.6μm的范围的传统实践中的更长。发现焦距粗略地和曲率半径成正比。因为角电流强度(每单位立体角的束流)和电子枪焦距的平方成正比，可以在发射器半径可实现的增加内把前者提高一个数量级。更高的角电流强度意味着来自电子枪更大的可用束流，而本发明使肖特基发射器能够用于要求微安量级的相对高的束流的应用中，例如微焦点X射线管、电子探针显微分析仪和电子束光刻系统。

主权项

一种电子束产生设备，包括：具有在电子束发射侧上的削尖成锥形的锥端的发射器；以及向发射器锥端施加电场的两个电极，其中向锥端施加电场从而利用肖特基效应发射电子来产生电子束，电子束产生设备的特征在于锥端曲率半径大于等于1μm，其中发射器具有不暴露从抑制电极向外的位于发射侧的发射器侧表面部分的晶面(100)的形式，所述抑制电极是建立电场的两个电极中位于发射侧相反侧的电极，并且带有负电压。