[发明专利]电磁法制备高纯硅及铝硅合金的方法无效

专利信息
申请号: 201110328970.0 申请日: 2011-10-26
公开(公告)号: CN102373351A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 马文会;余文轴;魏奎先;谢克强;周阳;郁青春;刘永成;周晓奎;陈建云;刘大春;杨斌;戴永年 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C22C21/02 分类号: C22C21/02;B22D27/02;C01B33/021
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及的是一种制备高纯硅及铝硅合金的方法。采用不同硅含量的过共晶铝硅合金为原料,控制压力为常压,温度为700~2100℃,反应时间5~90分钟的条件下,在炉内进行加热至熔化。然后将熔融的物料进行定向凝固处理,凝固速率为5μm/s~1000μm/s,并同时在物料外部加磁场,磁感应强度为1T~1000T。在凝固过程中,优先析出的固相硅在磁化力的作用下,沉积到下部,而铝硅合金析出后则在上部。将所获得的产品沿硅和铝硅合金的界面处进行切割分离,最后得到高纯硅和铝硅合金两种产品。本方法获得的高纯硅纯度大于99.99%,铝硅合金中铁的含量小于0.6%,硅的含量在11%~13%之间,余量为铝,铝硅合金成分符合国家牌号标准。工艺流程短、成本低、经济效益高。
搜索关键词: 电磁 法制 高纯 合金 方法
【主权项】:
一种电磁法制备高纯硅及铝硅合金的方法,其特征在于具体制备步骤经过如下:(1)预处理:将过共晶铝硅合金磨成50目以下的细粉,并研磨均匀,压块后置于炉内,控制炉内压力为常压,温度为700~2100℃,在炉内进行加热至熔化,反应时间为5~90分钟;(2)电磁定向凝固处理:将熔融的物料进行定向凝固处理,凝固速率为5μm/s~1000μm/s,并同时在样品外部加磁场,磁感应强度为1T~1000T;使深褐色固相硅在磁化力的作用下优先析出并沉积到下部,而亮白色铝硅合金析出后在上部,形成一个界面;(3)切割分离:将步骤(2)中所获得的产品沿硅和铝硅合金的界面处进行切割分离,最后得到高纯硅和铝硅合金两种产品。
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