[发明专利]包含异质结的光电子器件

摘要

本发明的实施方式大体涉及光电子半导体器件，例如包括太阳能电池的光伏器件。一方面，光电子半导体器件包含由砷化镓(GaAs)制成并且仅具有一种掺杂型的吸收层。发射极层比吸收层更靠近器件的背面，发射极层由与吸收层不同的材料制成，并且具有比吸收层高的带隙。异质结在发射极层和吸收层之间形成，且p-n结在发射极层和吸收层之间形成并且至少部分在与异质结偏离的位置处的不同材料内。p-n结响应于器件在器件的正面处暴露于光而在器件中引起电压产生。

主权项

一种光电子半导体器件，包含：吸收层，其由砷化镓(GaAs)制成且仅具有一种掺杂型；发射极层，其比所述吸收层更靠近所述器件的背面，所述发射极层由与所述吸收层不同的材料制成且具有比所述吸收层高的带隙；异质结，其在所述发射极层和所述吸收层之间形成；以及p‑n结，其在所述发射极层和所述吸收层之间偏离所述异质结的位置处形成，所述p‑n结响应于所述器件在所述器件的正面处暴露于光而在所述器件中引起电压产生。