[发明专利]发光二极管晶粒无效
| 申请号： | 201110329510.X | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103078051A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张秀萍 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;晶鼎能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括基板、依次形成于基板上的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述基板采用透明氧化铟锡材料，该基板中分布有纳米氢化碳化硅颗粒，从而使发光二极管晶粒内部产生的热量较易于向外散发，提高散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，包括基板、依次形成于基板上的第一半导体层、有源层及第二半导体层，其特征在于：所述基板采用透明氧化铟锡材料，该基板中分布有纳米氢化碳化硅颗粒。
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