[发明专利]用于半导体器件的间隔元件有效
申请号: | 201110329741.0 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN102479789B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 林昀靓;范玮寒;林育贤;黄益民 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L21/8238 |
代理公司: | 北京德恒律师事务所11306 | 代理人: | 陆鑫,高雪琴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明描述了一种包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件的半导体器件。第一间隔元件设置在衬底上并且邻接第一栅极堆叠件。在实施例中,第一间隔元件包括氮化硅。第二间隔元件邻近第一间隔元件。在实施例中,第二间隔元件包括氧化硅。提供的凸起源极和第一凸起漏极横向地接触第二间隔元件的侧壁。在实施例中,接触件与第二间隔元件直接接合。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体器件 间隔 元件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体衬底;第一栅极堆叠件,所述第一栅极堆叠件设置在所述半导体衬底上;第一间隔元件,所述第一间隔元件邻接所述第一栅极堆叠件;和第二间隔元件,所述第二间隔元件邻近所述第一间隔元件,其中所述第二间隔元件包括氧化硅;第一凸起的源极/漏极区域,所述第一凸起的源极/漏极区域横向地接触所述第二间隔元件的侧壁,其中所述第一间隔元件具有第一高度并且所述第二间隔元件具有第二高度,而且所述第一高度大于所述第二高度;第一低掺杂漏极区域,直接位于所述第一间隔元件和所述第二间隔元件下方;轮廓,由所述第一凸起的源极/漏极区域、所述第一间隔元件和所述第二间隔元件的组合形成;接触蚀刻停止层,所述接触蚀刻停止层交接所述第一间隔元件和所述第二间隔元件;以及层间介电层,所述层间介电层覆盖并交接所述第一栅极堆叠件和所述接触蚀刻停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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