[发明专利]用于半导体器件的间隔元件

摘要

本发明描述了一种包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件的半导体器件。第一间隔元件设置在衬底上并且邻接第一栅极堆叠件。在实施例中，第一间隔元件包括氮化硅。第二间隔元件邻近第一间隔元件。在实施例中，第二间隔元件包括氧化硅。提供的凸起源极和第一凸起漏极横向地接触第二间隔元件的侧壁。在实施例中，接触件与第二间隔元件直接接合。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件设置在所述半导体衬底上；第一间隔元件，所述第一间隔元件邻接所述第一栅极堆叠件；和第二间隔元件，所述第二间隔元件邻近所述第一间隔元件，其中所述第二间隔元件包括氧化硅；第一凸起的源极/漏极区域，所述第一凸起的源极/漏极区域横向地接触所述第二间隔元件的侧壁，其中所述第一间隔元件具有第一高度并且所述第二间隔元件具有第二高度，而且所述第一高度大于所述第二高度；第一低掺杂漏极区域，直接位于所述第一间隔元件和所述第二间隔元件下方；轮廓，由所述第一凸起的源极/漏极区域、所述第一间隔元件和所述第二间隔元件的组合形成；接触蚀刻停止层，所述接触蚀刻停止层交接所述第一间隔元件和所述第二间隔元件；以及层间介电层，所述层间介电层覆盖并交接所述第一栅极堆叠件和所述接触蚀刻停止层。