[发明专利]一种混合补偿式高稳定性LDO芯片电路无效
| 申请号： | 201110329842.8 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN103092241A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 仝刚;常远山;张彦素 | 申请（专利权）人： | 厦门立昂电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种混合补偿式高稳定性LDO芯片电路，包括差分输入放大器A1，推挽缓冲放大器A2，集成PMOS器件P0，电阻Rc、RF1、RF2，电容Cc、CFF，芯片输出电容Cout，Cout的等效串联电阻Resr，芯片输出负载Rload；其特征在于：A1输出连接A2，Rc和Cc串联后跨接A2两端，A2输出接P0栅极，P0漏极为输出端Vout，接RF1、Cout、Rload的一端，RF1与RF2串联接地，CFF跨接在RF1两端，RF1和RF2交点接到A1输入负端，Cout与Resr串联接地，Rload另一端接地。本发明综合采用ESR补偿、米勒补偿、前馈电容补偿，提高了LDO系统的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 补偿 稳定性 ldo 芯片 电路 | ||
【主权项】：
一种混合补偿式高稳定性LDO芯片电路，其特征在于：差分输入放大器A1的输出连接推挽缓冲放大器A2，电阻Rc和电容Cc串联后跨接A2两端，A2输出接PMOS器件P0的栅极，P0漏极为输出端Vout，接RF1、Cout、Rload的一端，RF1与RF2串联接地，CFF跨接在RF1两端，RF1和RF2交点接到A1输入负端，Cout与Resr串联接地，Rload另一端接地。
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