[发明专利]一种新型光纤对接装置无效
申请号: | 201110329871.4 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN103076656A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 杜兵 | 申请(专利权)人: | 西安金和光学科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/38 | 分类号: | G02B6/38 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 弋才富 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种新型光纤对接装置,包括一由记忆合金材料构成的管状结构,所述的管状结构由三段内径粗细不同的管子构成,管状结构第二段管内径最小,其初始内径DT1、低温扩张后内径DT2与光纤的关系是:[1-(1-S)×K]×DF<DT1<DF (1)DF<DT2<DF×(1+S×K) (2)DF是对接时光纤的外径,K是由记忆合金材料构成的管状结构的形状记忆应变系数,S是选取的比例系数;所述管状结构的第一段管和第三段管相对于第二段管内径较大,其初始内径DC1、低温扩张后内径DC2与光纤涂覆外径DS的关系是:[1-(1-S)×K]×DS<DC1<DS (3)DS<DC2<DS×(1+S×K) (4)该装置具有成本低、使用简单方便、长期稳定性好的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 光纤 对接 装置 | ||
【主权项】:
一种新型光纤对接装置,包括一由记忆合金材料构成的管状结构,其特征在于:所述的管状结构由三段内径粗细不同的管子构成,管状结构第二段管内径最小,其初始内径DT1、低温扩张后内径DT2与光纤的关系是:[1‑(1‑S)×K]×DF<DT1<DF (1)DF<DT2<DF×(1+S×K) (2)DF是对接时光纤的外径,K是由记忆合金材料构成的管状结构的形状记忆应变系数,S是选取的比例系数。所述管状结构的第一段管和第三段管相对于第二段管内径较大,其初始内径DC1、低温扩张后内径DC2与光纤涂覆外径DS的关系是:[1‑(1‑S)×K]×DS<DC1<DS (3)DS<DC2<DS×(1+S×K) (4)
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