[发明专利]碳化硅衬底外延片、封装芯片、白光LED及工艺方法无效
| 申请号： | 201110330349.8 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102427104A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 陈苏南;吉爱华 | 申请（专利权）人： | 深圳市迈克光电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/34;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅衬底外延片、封装芯片、白光LED及工艺方法，该白光LED包括从下至上依次设置的支架、支架电极、芯片、金线、荧光晶体、硅胶和透镜，上述芯片包括从下至上依次设置的N极层、SiC衬底、AiN过渡层、N-GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、P-GaN接触层、透明导电层、P电极。本发明提供的碳化硅衬底白光LED，其显色性好、稳定性好、发光质量好，提高了工作稳定性和使用寿命，减少了封装工序，可以使白光LED的外延、芯片、封装、应用整个产业链的生产工艺简化，生产效率高，适于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 外延 封装 芯片 白光 led 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅衬底外延片，其特征在于，包括从下至上依次设置的SiC衬底、AiN过渡层、N‑GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、P‑GaN接触层。
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