[发明专利]一种近紫外LED器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种InGaN/AlGaN基近紫外LED器件的制造方法,该器件的主要特点是在器件的底层结构中采用嵌入锥形空气间隙结构和图案化内置DBR等技术以提高器件的发光效率。图案化内置DBR能够阻断穿透位错的延伸，从而大大降低了外延层中扩展位错的密度，提高了外延薄膜的晶体质量；同时DBR反射层结构特有高反射率性质，再加上底层特别设计的空气间隙结构，可以对射向衬底的光进行多次反射和散射回上表面，大大提高了LED的出光效率。

主权项

一种近紫外LED器件，器件结构包括衬底以及依次层叠于衬底上的低温AlN缓冲层、非掺杂本征GaN层、n型GaN缓冲层、InGaN/AlGaN多量子阱有源区、p型AlGaN包覆层、p型GaN接触层、透明导电层、金属电极，其特征在于：所述器件结构的衬底和InGaN/AlGaN多量子阱有源区之间包括空气间隙层和具有图案结构的DBR反射层这两层结构；空气间隙层由光刻和刻蚀制备，可以提高LED器件的光提取效率，而该DBR反射层具有图案结构，由两种折射率不同的材料周期交替生长形成，该DBR反射层同时具有降低穿透位错和提高发光提取效率的作用。