[发明专利]提高载流子复合效率的复合量子阱结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201110330659.X | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102368525A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 王明军;魏世祯;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高载流子复合效率的复合量子阱结构及其制备方法，该结构能有效减少量子阱区的缺陷密度，提高电子和空穴在发光量子阱区的复合效率，同时低温浅阱结构的阱的厚度比发光量子阱区的阱的厚度小，能防止两个多量子阱发光谱的重合，降低半高宽，提高发光亮度。该发明还涉及一种GaN基LED外延片的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 载流子 复合 效率 量子 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高载流子复合效率的复合量子阱结构，该发光二极管外延片的结构从下向上依次为，衬底层、氮化镓低温缓冲层、未掺杂的高温氮化镓层、Si掺杂的n型氮化镓层、多量子阱结构MQW 、p型铝镓氮电子阻挡层、p型氮化镓层、p型氮化镓接触层，其特征在于：多量子阱结构MQW从下往上依次包括高温多量子阱结构、低温浅量子阱结构、低温发光多量子阱结构。
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