[发明专利]提高ESD的复合n-GaN层结构的制备方法有效
| 申请号： | 201110330664.0 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102412351A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王明军;魏世祯;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高ESD的复合n-GaN层结构的制备方法，该材料依次由蓝宝石衬底层，低温生长的GaN缓冲层，高温生长的不掺杂的u-GaN层，高温生长的n-GaN层，InxGa1-xN/GaN多量子阱层，p-AlyGa1-yN电子阻挡层，p-GaN层和p-GaN接触层组成。在高温生长的n-GaN中间插入一层n-AlzGa1-zN层，形成复合结构，重掺杂的n+-GaN能有效的降低Vf，n-AlzGa1-zN的插入能有效的减少量子阱区的线性位错和V型位错，提高晶体质量，提高发光二极管的抗静电能力，低掺杂的n-GaN作为电流分散层，能有效的提高器件的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 esd 复合 gan 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高ESD的复合n‑GaN层结构的制备方法，该发光二极管外延片的结构从下向上依次为，衬底层，氮化镓低温缓冲层，未掺杂的高温氮化镓层，复合n型层，多量子阱结构MQW ， p型铝镓氮电子阻挡层，p型氮化镓层，p型氮化镓接触层，其特征在于：复合的n型层中在重掺杂的n+‑GaN层和重掺杂n+‑GaN层中间插入一层n‑AlzGa1‑zN层；复合n型层的结构顺序从下往上依次为：重掺杂的n+‑GaN层（401），n‑AlzGa1‑zN插入层（102），重掺杂n+‑GaN层（402），低掺杂n‑‑GaN层（403）。
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