[发明专利]太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201110331458.1 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN103094401A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：提供一硅基板，所述硅基板具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面；在所述硅基板的第二表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述硅基板通过该沟槽暴露出来；刻蚀所述硅基板，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述硅基板的第二表面形成多个M形三维纳米结构；在所述三维纳米结构表面形成一掺杂硅层；在所述掺杂硅层的至少部分表面设置一上电极；以及设置一背电极与所述硅基板欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：提供一硅基板，所述硅基板具有相对设置的一第一表面以及一第二表面；在所述硅基板的第二表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述硅基板通过该沟槽暴露出来；刻蚀所述硅基板，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述硅基板的第二表面形成多个M形三维纳米结构；在所述三维纳米结构表面形成一掺杂硅层；在所述掺杂硅层的至少部分表面设置一上电极；以及设置一背电极与所述硅基板欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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