[发明专利]作为化学-机械抛光停止层的介电保护层无效
| 申请号： | 201110332241.2 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102646666A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吴永旭;吕新贤;包天一;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/321;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供实施金属化学-机械抛光(CMP)而不会带来镶嵌结构的铜和介电薄层的显著损失的机理。机理使用由带有致孔剂的低-k介电薄层制成的金属CMP停止层，其显著降低了金属CMP对金属CMP停止层的移除速率。固化(或固化)后金属CMP停止层转化成多孔低-k介电薄层从而移除或转化致孔剂。金属CMP停止层的低-k值(例如等于或小于约2.6)使得使用金属CMP停止层对RC延迟的影响从最小到无。另外，CMP停止层防止下面的多孔低-k介电薄层暴露在CMP研磨液中的水，有机化合物，和流动离子中。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 化学 机械抛光 停止 保护层 | ||
【主权项】：
一种具有由低介电常数(低‑k)材料制成的金属化学‑机械抛光(CMP)停止层的镶嵌结构，包括：用于互连的镶嵌结构，其中所述镶嵌结构衬有阻挡层并且填充有铜；围绕所述镶嵌结构的介电层，其中所述介电层是低‑k介电材料；以及位于所述介电层上方的金属CMP停止层，其中所述金属CMP停止层也围绕所述镶嵌结构，而且其中所述金属CMP停止层由稠密的低‑k介电材料制成。
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