[发明专利]一种维持电压可调节的可控硅结构有效
| 申请号： | 201110332265.8 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102332467A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 曾传滨;毕津顺;李多力;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种维持电压可调节的可控硅结构，包括一第一N型阱、一第二N型阱、一第一P型阱、一第二P型阱、一第一P+掺杂区及一第一N+掺杂区；所述第一N型阱依次通过第二N型阱、第二P型阱与所述第一P型阱相连。本发明提供的一种维持电压可调节的可控硅结构制作在SOI（绝缘层上硅）硅片上，通过减薄第二N型阱和第二P型阱沟道区厚度，并进一步改变可控硅结构第二N型阱和/或第二P型阱沟道区长度，达到改变维持电压的目的。还可以采用此可控硅结构结合串联二极管技术，进一步达到满足各种工作电压对可控硅静电保护结构维持电压的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 维持 电压 调节 可控硅 结构 | ||
【主权项】：
一种维持电压可调节的可控硅结构，其特征在于，包括：一第一N型阱、一第二N型阱、一第一P型阱、一第二P型阱、一第一P+掺杂区及一第一N+掺杂区；所述第一N型阱和所述第一P型阱，制作在未减薄的SOI层上；所述第一P+掺杂区，制作在所述第一N型阱中，与阳极相连；所述第一N+掺杂区，制作在所述第一P型阱中，与阴极相连；所述第二N型阱和所述第二P型阱，制作在减薄的SOI层上；所述第一N型阱依次通过第二N型阱、第二P型阱与所述第一P型阱相连；通过调节第二N型阱和/或第二P型阱沟道长度，可调节可控硅结构维持电压。
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