[发明专利]8-bit半导体存储单元、制作方法及其存储单元阵列

摘要

本发明提供了一种8-bit半导体存储单元及形成方法、存储单元阵列。8-bit半导体存储单元包括一个源极区、四个漏极区、四个栅极区、四条带状半导体鳍状物以及八个电荷存储复合层；其中，四个漏极在源极外侧对称设置，且每个漏极与源极之间设置有具有沟道区域的带状半导体鳍状物；四个栅极的每一个设置在每两个相邻的带状半导体鳍状物之间，并且栅极通过具有电荷俘获层的电荷存储复合层与该栅极两侧半导体鳍状物之间的沟道区接触。因此，利用该崭新的结构，巧妙的实现了存储单元的8-bit存储，并进一步提高存储单元的存储密度。

主权项

一种8‑bit半导体存储单元，包括设置在半导体衬底上的源极区和漏极区、半导体鳍状物、栅极区，以及在所述有源区和栅极区之间的、具有电荷俘获层的电荷存储复合层，其特征在于，所述半导体存储单元包括一个源极区、四个漏极区、四个栅极区、四条带状半导体鳍状物以及八个电荷存储复合层；其中，所述四个漏极区在所述源极区外侧对称设置，且每个所述漏极区与所述源极区之间设置有具有沟道区域的带状半导体鳍状物；所述四个栅极区的每一个设置在每两个相邻的所述带状半导体鳍状物之间，并且所述栅极区通过所述具有电荷俘获层的电荷存储复合层与该栅极区两侧半导体鳍状物之间的沟道区接触。