[发明专利]一种深沟槽的硅外延填充方法有效
| 申请号： | 201110332561.8 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103094107A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;季伟;肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深沟槽的硅外延填充方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上生长N型硅外延层；步骤2，采用硬掩膜的干法刻蚀在N型硅外延层上形成沟槽，沟槽刻蚀后沟槽顶部有硬掩膜；步骤3，采用含氯的硅源气体、卤化物气体、氢气以及掺杂气体的混合气体在沟槽内进行第一硅外延生长，形成第一P型硅外延层；步骤4，采用硅烷、氢气和掺杂气体的混合气体在N型硅外延层上的硬掩膜上和第一P型硅外延层上进行生长，在第一P型硅外延层上形成第二P型硅外延层，在硬掩膜上形成多晶硅或非晶硅。本发明能解决深沟槽填充CMP研磨无法精确控制的问题，且提高了深沟槽硅外延填充的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深沟 外延 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽的硅外延填充方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上生长N型硅外延层；步骤2，采用硬掩膜的干法刻蚀在N型硅外延层上形成沟槽，沟槽刻蚀后沟槽顶部有硬掩膜；步骤3，采用含氯的硅源气体、卤化物气体、氢气以及掺杂气体的混合气体在沟槽内进行第一硅外延生长，形成第一P型硅外延层；步骤4，采用硅烷、氢气和掺杂气体的混合气体在N型硅外延层上的硬掩膜上和第一P型硅外延层上进行生长，在第一P型硅外延层上形成第二P型硅外延层，在硬掩膜上形成多晶硅或非晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
